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凯发旗舰厅英飞凌取得包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法专利

时期:2025-07-21 14:51:59 点击数:

  金融界2025年4月29日消息,国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法”的专利,授权公告号CN110504233B,申请日期为2019年5月。

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